三星电子投入二代V NAND量产 稳定良率可保市场主导权-资讯证券投资

据ET News报导，三星电子(Samsung Electronics电工作鞋) 2013年8月首度投入Cell堆叠层数24层的3D V NAND量产，至今约9个月，技术已提升到可生产32层的3D V NAND。 3D制程技术并不容易，是否能尽早确保高良率，将成致胜关键。
据报三星电子日前在南韩宣布已开始量产第2代V NAND，可垂直堆叠的层数较第一代V NAND提升30%以上，达32层。 3月三星电子完成向南韩政府申报相关技术出口后，大陆西安厂也将进入生产准备作业。
V NAND是为克服存储器制程微细化瓶颈，将电荷撷取快闪存储器(Charge Trap Flash；CTF) Cell垂直堆叠的3D存储器。三星电子2013年开始生产24层V NAND，并推出搭载该V NAND的资讯中心用固态硬碟(SSD)产品。
南韩业界认为，三星电子积极确保并升级到32层3D NAND技术，是因3D NAND若要具备更高的竞争力，需要可堆叠32层以上的技术。
三星电子在南韩京畿道华城厂中以既有的V NAND设备生产32层V NAND，并未执行资本支出。三星说明，多模跳线再维持现有设备的前提下，只提升堆叠层数和集成度，提高价格竞争力。
南韩业界专家评价，若说三星24层3D V NAND是开拓市场的棋子，32层V NAND则是正式创造需求的产品。
三星电子公开量产消息的同时，也公开了搭载32层V NAND的高阶PC用SSD产品。三星存储器事业部副社长全永铉表示，三星电子将适时推出具优越性能的大容量V NAND SSD，引领V NAN电声喇叭D大众化时代来临。
南韩专家指出，三星电子的3D V NAND策略要成功，首重确保稳定的生产良率。 3D制程要增加垂直堆叠层数并维持堆叠结构，并不是容易的事。
目前业界只有三星电子可量产3D V NAND。 SK海力士(SK Hynix)和东芝(Toshiba)正在筹备生产，但与三星积极的态度不同，仍在调整脚步。相较于3D制程，两大厂反而较偏重于转换到16纳米微细制程。
三星电子迅速投入冷水江二代V NAND量产，是为稳固竞争优势，并确保稳定良率。若无法确保生产良率，恐将市场主导权拱手让给其他竞争对手。

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